特色
- 用于低导通电阻的前沿沟槽技术
- 用于快速开关的低栅极电荷
- 小型（3 x 2.75 mm）TSOP-6包装
应用
- DC-DC转换器
- 锂离子电池应用
- 负载/电源切换
（图片：引出线）
NTGS3130NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.23A (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.59103 | 6.59103 |
| 10+ | 5.78707 | 57.87077 |
| 100+ | 4.43482 | 443.48280 |
| 500+ | 3.50556 | 1752.78200 |
| 1000+ | 2.80445 | 2804.45100 |
| 3000+ | 2.78851 | 8365.55100 |
- 库存: 922
- 单价: ¥6.59104
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.59
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功耗 600mW (Ta)
- 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.4V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.23A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@5.6A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20.3 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 935 pF@16 V
NTGS3130NT1G 产品详情
功率MOSFET 20 V，5.6 A，单N沟道，TSOP-6
NTGS3130NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTGD3148NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
 | NTGD4167CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A、1.9A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGD3149CT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A、2.4A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
 | NTGD4161PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 |
 | NTGD3133PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.02801 |
 | NTGD3133PT1H | 安盛美 (onsemi) | PFET TSOP6 20V 2.3A 145MO | ¥2.02801 |
 | NTGS4111PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.37036 |
 | NTGS4141NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTGS3443T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.38557 |
 | NTGS3433T1 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CH 12V 3.3A 6-TSOP | ¥0.65186 |
NTGS3130NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTGS3130NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTGS3130NT1G价格参考￥6.591039，你可以下载 NTGS3130NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTGS3130NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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