MOSFET T8 40V低COSS
特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低输入电容
- 最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- 加载点模块
- 高性能DC-DC转换器
- 二级合成。整改
- 直流电机驱动
- 网通、电信
- 服务器
- 手持式电动工具
NTMFS5H600NLT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 250A (Tc) 最大功耗: 3.3W（Ta）、160W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 61.13007 | 61.13007 |
| 10+ | 55.24159 | 552.41598 |
| 100+ | 45.73601 | 4573.60160 |
| 500+ | 40.87718 | 20438.59450 |
| 1500+ | 40.87711 | 61315.67550 |
- 库存: 1
- 单价: ¥34.83835
-
数量:
- +
- 总计: ¥61.13
在线询价
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 89 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 最大功耗 3.3W（Ta）、160W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Ta), 250A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.3毫欧姆@50A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6680 pF @ 30 V
- 色彩/颜色 -
NTMFS5H600NLT1G 产品详情
ON Semiconductor NTMFS5功率MOSFET是具有SO-8FL逻辑电平的40V单N通道功率MOSFET。NTMFS5的低导通电阻使传导损耗最小化。MOSFET的低栅极电荷和电容减少了驱动器损耗。NTMFS5功率MOSFET占地面积为5x6mm，非常适合网络通信、电信、服务器、交流适配器和手持电源工具。
NTMFS5H600NLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTMS4N01R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC | ¥1.30372 |
 | NTMD3P03R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | ¥1.59344 |
 | NTMSD3P303R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET/DIODE SCHOTTKY P-CH 8SOIC | ¥1.44858 |
 | NTMD6P02R2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC | ¥1.66587 |
 | NTMFS4709NT1G | 安盛美 (onsemi) | NFET S08FL 30V 94A .003R | ¥1.81073 |
| NTMFS5C442NLTWFT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS5C442NLT - SINGLE N-CHANNEL | ¥6.70548 |
| NTMFS4C13NBT1G | 安盛美 (onsemi) | NTMFS4C13N - MOSFET SO8FL 30V 38 | ¥1.50652 |
| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFS5H600NLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS5H600NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS5H600NLT1G价格参考￥34.838349，你可以下载 NTMFS5H600NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS5H600NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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