9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS8560S,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS8560S价格参考1.47000美元。onsemi FDMS8560S封装/规格:MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PFN。您可以下载FDMS8560S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如FDMS8560S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
FDMS8460是MOSFET N-CH 40V 25A POWER56,包括PowerTrenchR系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.002402盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于8-PowerTDFN,以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供1信道数信道,器件具有供应商器件封装的Power56,配置为单四漏极三源极,FET类型为MOSFET N信道,金属氧化物,最大功率为2.5W,晶体管类型为1 N信道,漏极到源极电压Vdss为40V,输入电容Ciss Vds为7205pF@20V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为25A(Ta),49A(Tc),Rds On最大Id Vgs为2.2mOhm@25A,10V,Vgs th最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为110nC@10V,Pd功耗为2.5W,其最大工作温度范围为+150℃,它的最小工作温度范围为-55℃,下降时间为7ns,上升时间为9ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为25A,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Rds导通-漏极电阻为2.2mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为48ns,典型的开启延迟时间为19ns,信道模式为增强。
FDMS8558SDC是MOSFET N沟道PowerTrench SyncFET,包括25 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以0.003175 oz单位重量运行,数据表中显示了用于2 N沟道的晶体管类型,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及5.7 mOhms Rds漏极源极电阻,该器件也可以用作81nC Qg栅极电荷。此外,Pd功耗为41 W,该器件采用卷筒包装,该器件具有封装盒的功率-33-8,通道数为2通道,安装类型为SMD/SMT,其最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为17 a。
FDMS8558S是MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN,包括双配置,它们设计为以38 a Id连续漏电流运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供多个信道功能,如2信道,封装盒设计用于Power-56-8,以及卷筒封装,该器件也可以用作1.5毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,该技术为硅,该器件提供N沟道晶体管极性,该器件具有2个N沟道的晶体管类型,单位重量为0.003175盎司,Vds漏极-源极击穿电压为25 V。