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NTMD4184PFR2G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 770mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A(Ta)
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.2 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 360 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 95毫欧姆@3A,10V
  • 最大功耗 770mW (Ta)
  • 色彩/颜色 -

NTMD4184PFR2G 产品详情

功率MOSFET和肖特基二极管-30 V,-4.0 A,单P沟道,20 V,2.2 A,肖特基势垒二极管

特色

  • 恶臭的™ 表面贴装封装节省了电路板空间
  • MOSFET和肖特基的独立引脚输出允许设计灵活性
  • 低RDS(on)MOSFET和低VF肖特基,以最小化传导损耗
  • 优化栅极电荷以最小化开关损耗

应用

  • 磁盘驱动器
  • DC-DC转换器
  • 打印机


(图片:引出线)

NTMD4184PFR2G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMD4184PFR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMD4184PFR2G价格参考¥4.852743,你可以下载 NTMD4184PFR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMD4184PFR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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