9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUM70060E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUM70060E-GE3参考价格$2.18000。Vishay Siliconix SUM70060E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 131A TO263。您可以下载SUM70060E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SUM70060E-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SUM65N20-30-E3是MOSFET N-CH 200V 65A D2PAK，包括SUM系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SUM65N210-30，其提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3.75 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为200 ns，上升时间为220 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为65A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为24ns，正向跨导最小值为25S，沟道模式为增强型。
SUM65P04-15，带有VISHAY制造的用户指南。SUM65P04-15采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM65P06-20，带有VISHAY制造的电路图。SUM65P06-20采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
SUM6K1N，带有SECOS制造的EDA/CAD模型。SUM6K1N采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
