NTMT150N65S3HF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 192W（Tc） 供应商设备包装: 4-PQFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 29.84074 | 29.84074 |
| 10+ | 26.82770 | 268.27702 |
| 100+ | 21.97858 | 2197.85800 |
| 500+ | 18.71014 | 9355.07450 |
| 1000+ | 17.93139 | 17931.39200 |
| 3000+ | 17.93146 | 53794.39500 |
- 库存: 2985
- 单价: ¥29.84075
-
数量:
- +
- 总计: ¥29.84
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 24A（Tc）
- 包装/外壳 4-PowerTSFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
- 最大功耗 192W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 150毫欧姆@12A，10V
- 供应商设备包装 4-PQFN (8x8)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 540A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1985 pF@400 V
- 色彩/颜色 -
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NTMT150N65S3HF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMT150N65S3HF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMT150N65S3HF价格参考￥29.840748，你可以下载 NTMT150N65S3HF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMT150N65S3HF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
