NTMT064N65S3H
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 260W（Tc） 供应商设备包装: 4-TDFN (8x8) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 48.81714 | 48.81714 |
| 10+ | 43.84851 | 438.48517 |
| 100+ | 35.92406 | 3592.40600 |
| 500+ | 30.58140 | 15290.70350 |
| 1000+ | 29.30854 | 29308.54000 |
| 3000+ | 29.30861 | 87925.83600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥48.81715
-
数量:
- +
- 总计: ¥48.82
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
- 包装/外壳 4-PowerTSFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 82 nC @ 10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 3.9毫安
- 最大功耗 260W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 64毫欧姆 @ 20A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3745 pF @ 400 V
- 供应商设备包装 4-TDFN (8x8)
- 色彩/颜色 -
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NTMT064N65S3H所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMT064N65S3H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMT064N65S3H价格参考￥48.817146，你可以下载 NTMT064N65S3H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMT064N65S3H规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
