特色
- VGS=4.5 V，ID=15 A时，最大rDS（开）=6.1 mΩ
- VGS=2.5 V，ID=12 A时，最大rDS（开）=9.3 mΩ
- 薄型-最大1 mm，功率33
- 100%UIL测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMC8651
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、20A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、41W（Tc） 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.66106 | 11.66106 |
| 10+ | 10.41529 | 104.15290 |
| 100+ | 8.12146 | 812.14640 |
| 500+ | 6.70895 | 3354.47650 |
| 1000+ | 5.61759 | 5617.59300 |
| 3000+ | 5.61759 | 16852.77900 |
- 库存: 0
- 单价: ¥10.21249
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.66
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 供应商设备包装 Power33
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 最大功耗 2.3W（Ta）、41W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Ta）、20A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.1毫欧姆 @ 15A, 4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27.2 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3365 pF @ 15 V
- 色彩/颜色 -
FDMC8651 产品详情
该装置专门设计用于提高DC/DC转换器的效率。使用MOSFET结构中的新技术，优化了栅极电荷和电容的各个组件，以减少开关损耗。低栅极电阻和极低的米勒电荷使得自适应和固定死区栅极驱动电路都具有优异的性能。维持了非常低的rDS（开），以提供子逻辑级器件。
FDMC8651 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMC8651所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMC8651 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC8651价格参考￥10.212489，你可以下载 FDMC8651中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC8651规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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