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FDMS86163P
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FDMS86163P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta), 50A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、104W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
3000+ 8.90118 26703.55200
  • 库存: 12000
  • 单价: ¥9.77285
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.77
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 59 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
  • 导通电阻 Rds(ON) 22毫欧姆@7.9A，10V
  • 最大功耗 2.5W（Ta）、104W（Tc）
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.9A (Ta), 50A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4085 pF @ 50 V
  • 色彩/颜色 黑色

FDMS86163P 产品详情

特征
■最大ros（on）=22m2，Ves=-10 V，lp=-7.9A
■最大ros（on）=30 m2，Ves=-6V，lD=-5.9A
■针对低Qg优化的中压P沟道硅技术的极低RDS
■该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
■100%UIL测试
■符合ROHS

一般说明
这种P沟道MOSFET是使用Fairchild半导体的先进PowerTrench？该工艺已被特别定制以最小化导通电阻并保持优异的开关性能。
应用
■主动夹紧开关
■负载开关

特色

  • VGS=-10 V，ID=-7.9 A时，最大rDS（开）=22 mΩ
  • VGS=-6 V，ID=-5.9 A时，最大rDS（开）=30 mΩ
  • 极低RDS（on）中压P沟道硅技术，针对低Qg进行了优化
  • 该产品针对快速开关应用和负载开关应用进行了优化
  • 100%UIL测试
  • 符合RoHS

应用

  • 移动通信基础设施


（图片：引线/示意图）

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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FDMS86252LFDMS86252LFDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G¥5.49287
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FDMS86104FDMS86104N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE¥7.81299
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FDMA6676PZFDMA6676PZ安盛美 (onsemi)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥34.78041
FDMS86568-F085FDMS86568-F085安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥23.80017
FDMS8558SFDMS8558S安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥34.59209
FDMS9410L-F085FDMS9410L-F085安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥166.47081
FDMS2D4N03SFDMS2D4N03S安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥5.60601
FDMS86163P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMS86163P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS86163P价格参考￥9.772845，你可以下载 FDMS86163P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS86163P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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