久芯网

NTMFS005N10MCLT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、105A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 16.65867 16.65867
10+ 14.94934 149.49346
100+ 12.01669 1201.66950
500+ 9.87279 4936.39850
1500+ 8.97518 13462.77600
  • 库存: 170
  • 单价: ¥11.95079
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16.66
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大功耗 3W (Ta), 125W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 55 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Ta)、105A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.1毫欧姆 @ 34A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 192A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4100 pF @ 50 V
  • 色彩/颜色 -

NTMFS005N10MCLT1G 产品详情

NTMFS005N10MCLT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMFS005N10MCLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMFS005N10MCLT1G价格参考¥11.950785,你可以下载 NTMFS005N10MCLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMFS005N10MCLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

展开
会员中心 微信客服
客服
回到顶部