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FDMC86260
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FDMC86260

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Ta), 16A (Tc) 最大功耗: 2.3W（Ta）、54W（Tc） 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.48340 19.48340
10+ 17.48436 174.84361
100+ 14.05122 1405.12260
500+ 11.54445 5772.22900
1000+ 10.49496 10494.96200
3000+ 10.49496 31484.88600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.48340
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.48
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 最大功耗 2.3W（Ta）、54W（Tc）
  • 供应商设备包装 Power33
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.4A (Ta), 16A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 34毫欧姆 @ 5.4A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1330 pF@75 V
  • 色彩/颜色 -

FDMC86260 产品详情

特征

a最大ros（on）=34 m2，Ves=10V

lb=5.4A最大ros（on）=44 m2，Ves=6 V

lD=4.8A用于极低ros的高性能技术（开启）
口100%UIL测试
■终端符合无铅RoHS

一般说明

这种N沟道MOSFET是使用Fairchild半导体公司先进的Power Trench？该工艺已被特别定制以最小化导通电阻并保持优异的开关性能。
应用

DC-DC转换

特色

  • VGS=10 V，ID=5.4 A时，最大rDS（开）=34 mΩ
  • VGS=6 V，ID=4.8 A时，最大rDS（开）=44 mΩ
  • 用于极低rDS的高性能技术（开启）
  • 100%UIL测试
  • 终端是无铅的
  • 符合RoHS

应用

  • DC-DC商用电源


（图片：引线/示意图）

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器件图
型号
制造商
描述
价格
FDMS8350LFDMS8350LFDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC¥18.45513
FDMS86252LFDMS86252LFDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G¥5.49287
FDMS8350LET40FDMS8350LET40FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT¥14.31219
FDMS86104FDMS86104N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE¥7.81299
FDMS3672FDMS3672FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR¥8.85082
FDMA6676PZFDMA6676PZ安盛美 (onsemi)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥34.78041
FDMS86568-F085FDMS86568-F085安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥23.80017
FDMS8558SFDMS8558S安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥34.59209
FDMS9410L-F085FDMS9410L-F085安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥166.47081
FDMS2D4N03SFDMS2D4N03S安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥5.60601
FDMC86260所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMC86260 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC86260价格参考￥19.483401，你可以下载 FDMC86260中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC86260规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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