9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH150N15X4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH150N15X4参考价格为11.89000美元。IXYS IXTH150N15X4封装/规格：MOSFET N-CH 150V 150A TO247。您可以下载IXTH150N15X4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH140P10T是MOSFET TrenchP沟道功率MOSFET，包括IXTH140P10系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.056438盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有568W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为26纳秒，Vgs栅源电压为15 V，Id连续漏电流为-140 a，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Vgs栅极-源极阈值电压为-2V至-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为58ns，Qg栅极电荷为400nC，正向跨导最小值为115S，信道模式是增强。
IXTH14N100是MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1000 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH14N100系列，器件的上升时间为21ns，漏极电阻Rds为820mOhms，Pd功耗为360W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，下降时间为36ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH14N80是MOSFET 14安培800V 0.7 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于32 ns，提供Id连续漏极电流功能，如14 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为700 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXTH14N80，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
