具有快速本征二极管的N沟道功率MOSFET（HiPerFET™) 来自IXYS
特色
- 国际标准包装
- 动态dv/dt额定值
- 低RDS（ON）和Qg
- 雪崩额定值
- 低封装电感
应用
- DC-DC转换器
- 蓄电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 灯镇流器
- 交流和直流电机驱动
- 机器人和伺服控制
- 激光驱动器
优势：
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
IXTP62N15P
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 350W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 35.27292 | 35.27292 |
| 10+ | 31.66595 | 316.65959 |
| 100+ | 25.94189 | 2594.18950 |
| 500+ | 22.08403 | 11042.01850 |
| 1000+ | 18.62504 | 18625.04500 |
| 2000+ | 18.14129 | 36282.58400 |
- 库存: 652
- 单价: ¥35.27292
-
数量:
- +
- 总计: ¥35.27
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2250 pF@25 V
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 70 nC @ 10 V
- 最大功耗 350W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 250A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 62A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 31A, 10V
- 色彩/颜色 -
IXTP62N15P 产品详情
N沟道功率MOSFET，IXYS HiperFET™ IXTP62N15P系列
IXTP62N15P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTP62N15P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTP62N15P 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTP62N15P价格参考￥35.272923，你可以下载 IXTP62N15P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTP62N15P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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