SUM90330E-GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.1A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.03722 | 13.03722 |
10+ | 11.64658 | 116.46583 |
100+ | 9.07969 | 907.96990 |
800+ | 7.50074 | 6000.59760 |
1600+ | 5.92165 | 9474.64000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.03722
-
数量:
- +
- 总计: ¥13.04
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 最大功耗 125W(Tc)
- 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TO-263(DPak)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 7.5V, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 35.1A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 37.5毫欧姆 @ 12.2A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1172 pF@100 V
- 色彩/颜色 黑色
SUM90330E-GE3 产品详情
Vishay的ThunderFET功率MOSFET提供了一流的电阻和栅极电荷,是DC/DC转换器应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)。对于设计师来说,较低的导通电阻意味着较低的传导损耗和节能绿色解决方案的功耗降低。
SUM90330E-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SUM90330E-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SUM90330E-GE3价格参考¥13.037220,你可以下载 SUM90330E-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SUM90330E-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...