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FDMS3672

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta), 22A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 20.49740 20.49740
10+ 18.43318 184.33181
100+ 14.81317 1481.31790
500+ 12.17053 6085.26750
1000+ 11.06410 11064.10900
3000+ 11.06403 33192.11100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.49741
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.50
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 44 nC @ 10 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、78W(Tc)
  • 供应商设备包装 8-MLP (5x6), Power56
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.4A (Ta), 22A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 23毫欧姆@7.4A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2680 pF@50 V
  • 材质 -

FDMS3672 产品详情

UItraFET器件结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。这些器件针对rDS(开)、低ESR、低总电荷和米勒门电荷进行了优化,是高频DC-DC转换器的理想选择。

特色

  • VGS=10V,ID=7.4A时最大RDS(开)=23 mΩ
  • VGS=6V,ID=6.6A时最大RDS(开)=29 mΩ
  • VGS=10 V时的典型Qg=31 nC
  • 低米勒电荷
  • 在高频下优化效率
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDMS3672所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDMS3672 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMS3672价格参考¥20.497407,你可以下载 FDMS3672中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMS3672规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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