起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 21.80112 | 21.80112 |
| 10+ | 19.54858 | 195.48587 |
| 100+ | 16.01767 | 1601.76730 |
| 500+ | 13.63548 | 6817.74200 |
| 1000+ | 13.06800 | 13068.00200 |
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UItraFET®沟槽MOSFET结合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，并且二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。针对高频、最低RDS（开启）、低ESR、低总电荷和米勒门电荷的效率进行了优化。
应用于高频DC-DC转换器、开关稳压器、电机驱动器、低压母线开关和电源管理。
•超低导通电阻
-rDS（开）=0.010Ω, VGS=10伏
•模拟模型
-温度补偿PSPICE®和SABER©
电气模型
-Spice和SABER©热阻抗模型
-www.semi.Intersil.com网站
•峰值电流与脉冲宽度曲线
•UIS评级曲线
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HUF75307T3ST136 | 13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL, | ¥1.7383 | |
 | HUFA76407DK8T | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 | |
 | HUFA76413DK8T | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.63546 | |
 | HUF75639S3ST_Q | TRANS MOSFET N-CH 100V 56A 3PIN( | ¥7.82233 | |
 | HUF7554S3S | HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM | ¥9.9952 | |
 | HUF75637S3 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | ¥10.86435 | |
| HUFA75433S3ST | 64A, 60V, 0.016OHM, N-CHANNEL MO | ¥7.90932 | |
 | HUF76407D3ST | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | ¥4.13077 |
 | HUFA76407D3S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥109.23742 |
 | HUFA76443P3 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 260W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥34.83835 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
