该设备专为蜂窝手机和其他超便携应用中的电池充电或负载切换而设计。它的特点是MOSFET具有低导通电阻。
MicroFET 2X2封装的物理尺寸提供了卓越的热性能,非常适合线性模式应用。
特色
- VGS=-5 V,ID=-7.8 A时,最大rDS(开)=24 mΩ
- VGS=-4.5 V,ID=-7 A时,最大rDS(开)=25 mΩ
- VGS=-2.5 V,ID=-5.5 A时,最大rDS(开)=35 mΩ
- VGS=-1.8 V,ID=-4 A时,最大rDS(开)=45 mΩ
- 薄型-最大0.8 mm-封装MicroFET2X2 mm
- HBM ESD保护等级>3.2K V(典型值)(注3)
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
(图片:引线/示意图)