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FDMA507PZ

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 8.47419 8.47419
10+ 7.54710 75.47102
100+ 5.88195 588.19590
500+ 4.85911 2429.55850
1000+ 4.06869 4068.69900
3000+ 4.06869 12206.09700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.09804
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.47
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.8A (Ta)
  • 供应商设备包装 6-MicroFET (2x2)
  • 导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@7.8A,5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2015 pF@10 V
  • 最大功耗 2.4W(Ta)
  • 材质 -

FDMA507PZ 产品详情

一般说明
该设备专为蜂窝手机和其他超便携应用中的电池充电或负载切换而设计。它的特点是MOSFET具有低导通电阻。
MicroFET 2X2封装的物理尺寸提供了卓越的热性能,非常适合线性模式应用。

特色

  • VGS=-5 V,ID=-7.8 A时,最大rDS(开)=24 mΩ
  • VGS=-4.5 V,ID=-7 A时,最大rDS(开)=25 mΩ
  • VGS=-2.5 V,ID=-5.5 A时,最大rDS(开)=35 mΩ
  • VGS=-1.8 V,ID=-4 A时,最大rDS(开)=45 mΩ
  • 薄型-最大0.8 mm-封装MicroFET2X2 mm
  • HBM ESD保护等级>3.2K V(典型值)(注3)
  • 不含卤化化合物和氧化锑
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。


(图片:引线/示意图)

FDMA507PZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDMA507PZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMA507PZ价格参考¥7.098042,你可以下载 FDMA507PZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMA507PZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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