特色
- WDFN封装提供外露排水垫，实现卓越的热传导
- 2x2 mm封装与SC-88封装相同
- 2x2 mm封装中的最低RDS（on）解决方案
- 1.5 V RDS（开启）额定值，用于低电压逻辑电平栅极驱动
- 薄型（<0.8 mm），便于在薄环境中安装
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换器（降压和升压电路）
- 针对便携式设备中的电池和负载管理应用进行了优化
- 高压侧负载开关
- 手机
- PDA
- 媒体播放器
（图片：引出线）
NTLJS3D0N02P8ZTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.1A（Ta） 最大功耗: 860mW (Ta) 供应商设备包装: 6-PQFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.59103 | 6.59103 |
| 10+ | 5.87399 | 58.73992 |
| 100+ | 4.58113 | 458.11340 |
| 500+ | 3.78441 | 1892.20750 |
| 1000+ | 3.16876 | 3168.76900 |
| 3000+ | 3.16876 | 9506.30700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.59104
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.59
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 供应商设备包装 6-PQFN (2x2)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC @ 4.5 V
- 最大功耗 860mW (Ta)
- 包装/外壳 6-PowerWDFN
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12.1A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 3.8毫欧姆 @ 10A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2165 pF @ 10 V
- 材质 -
NTLJS3D0N02P8ZTAG 产品详情
功率MOSFET-20 V，-9.5 A，µCool™ 单P通道2x2 mm WDFN封装
NTLJS3D0N02P8ZTAG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NTLMS4504NR2 | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 24V 28A 3PIN S | ¥4.41817 |
 | NTLUD3A260PZTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 |
 | NTLJD4116NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | NTLUD3A260PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 |
 | NTLJD3115PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.07003 |
 | NTLJD2104PTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLJD2104PTBG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.7383 |
 | NTLUD3A50PZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 |
 | NTLTS3107PR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET P-CHAN 8.3A 20V MICRO8 | ¥4.85274 |
 | NTLTD7900ZR2 | 安盛美 (onsemi) | MOSFET 2N-CH 20V 6A MICRO8 | ¥1.44858 |
NTLJS3D0N02P8ZTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTLJS3D0N02P8ZTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTLJS3D0N02P8ZTAG价格参考￥6.591039，你可以下载 NTLJS3D0N02P8ZTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTLJS3D0N02P8ZTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
