NTMTSC002N10MCTXG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Ta), 236A (Tc) 最大功耗: 9W（Ta）、255W（Tc） 供应商设备包装: 8-TDFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 44.76112 | 44.76112 |
| 10+ | 40.16912 | 401.69123 |
| 100+ | 32.91173 | 3291.17380 |
| 500+ | 28.01698 | 14008.49300 |
| 1000+ | 26.85087 | 26850.87900 |
| 3000+ | 26.85087 | 80552.63700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥44.76112
-
数量:
- +
- 总计: ¥44.76
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 安装类别 表面安装，可润湿侧翼
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 89 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Ta), 236A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 2毫欧姆@90A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 520A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6305 pF @ 50 V
- 最大功耗 9W（Ta）、255W（Tc）
- 供应商设备包装 8-TDFNW (8.3x8.4)
- 材质 钢
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NTMTSC002N10MCTXG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMTSC002N10MCTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMTSC002N10MCTXG价格参考￥44.761122，你可以下载 NTMTSC002N10MCTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMTSC002N10MCTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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