特色
- 低RDS（打开）
- 减少传导损耗
- 低电容
- 减少输入损耗
- 优化门电荷
- 减少开关损耗
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换
- DC-DC转换器
NTMFS5844NLT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.2A（Ta） 最大功耗: 3.7W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.25690 | 8.25690 |
| 10+ | 7.38051 | 73.80515 |
| 100+ | 5.75376 | 575.37600 |
| 500+ | 4.75322 | 2376.61300 |
| 1500+ | 3.97997 | 5969.96100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.80833
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.26
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@10A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1460 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11.2A（Ta）
- 最大功耗 3.7W (Ta), 107W (Tc)
- 材质 -
NTMFS5844NLT1G 产品详情
功率MOSFET 60 V，61 A，12 m，单N沟道
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMFS5844NLT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS5844NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS5844NLT1G价格参考￥6.808326，你可以下载 NTMFS5844NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS5844NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
