特色
- VGS=4.5 V，ID=9 A时，最大rDS（开）=18 mΩ
- VGS=2.5 V，ID=7.5 A时，最大rDS（开）=24 mΩ
- VGS=1.8 V，ID=7 A时，最大rDS（开）=32 mΩ
- 薄型：新封装中最大0.55mm MicroFET 1.6x1.6薄型
- 不含卤化化合物和氧化锑
- HBM ESD保护等级>2.5kV（注3）
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDME820NZT
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 2.1W（Ta） 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.17047 | 7.17047 |
| 10+ | 6.42445 | 64.24452 |
| 100+ | 5.00774 | 500.77410 |
| 500+ | 4.13714 | 2068.57200 |
| 1000+ | 3.46413 | 3464.13400 |
| 5000+ | 3.46413 | 17320.67000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.17047
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.17
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规格参数
- 长（英寸） 72
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Ta）
- 最大功耗 2.1W（Ta）
- 供应商设备包装 MicroFet 1.6x1.6 Thin
- 包装/外壳 6-PowerUFDFN
- 导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@9A，4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 865 pF @ 10 V
FDME820NZT 产品详情
该单N沟道MOSFET采用先进的功率沟道工艺设计，以优化特殊MicroFET引线框架上的rDS（ON）@VGS=1.8V。
FDME820NZT 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDME820NZT所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDME820NZT 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDME820NZT价格参考￥7.170471，你可以下载 FDME820NZT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDME820NZT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
