特色
- VGS=10 V，ID=16.9 A时，最大rDS（开）=5.7 mΩ
- VGS=4.5 V，ID=15.0 A时，最大rDS（开启）=7.0 mΩ
- 用于极低rDS的高性能技术（开启）
- 终端为无铅且符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMC7672S
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.8A（Ta）、18A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、36W（Tc） 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.38775 | 7.38775 |
| 10+ | 6.62001 | 66.20011 |
| 100+ | 5.15984 | 515.98420 |
| 500+ | 4.26273 | 2131.36800 |
| 1000+ | 3.56930 | 3569.30100 |
| 3000+ | 3.56930 | 10707.90300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.38776
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.39
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-MLP (3.3x3.3)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14.8A（Ta）、18A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 14.8A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2520 pF@15 V
- 最大功耗 2.3W（Ta）、36W（Tc）
- 材质 钢
FDMC7672S 产品详情
该N沟道MOSFET采用先进的Power Trench®工艺生产，该工艺经过特别定制，可将导通电阻降至最低。该设备非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载切换应用。
FDMC7672S 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMC7672S所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDMC7672S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMC7672S价格参考￥7.387758，你可以下载 FDMC7672S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMC7672S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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