该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,是高效电源管理应用的理想选择。
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•高漏源电压额定值
特色
- 0.17安培,100伏 RDS(开)=6Ω @ VGS=10伏 RDS(开)=10Ω @ VGS=4.5伏
- 用于极低RDS(ON)的高密度电池设计
- 坚固可靠
- 紧凑型工业标准SOT-23表面安装组件
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
- 小型伺服电机控制
- 功率功率MOSFET栅极驱动器