9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS3008SDC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS3008SDC价格参考1.20000美元。onsemi FDMS3008SDC封装/规格：功率场效应晶体管，2。您可以下载FDMS3008SDC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS2734是MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56，包括UltraFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-MLP、Power56和Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的Power56，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为2365pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.8A（Ta），14A（Tc），Rds On最大Id Vgs为122 mOhm@2.8A，10V，Vgs th最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为42nC@10V，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.8A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极源极电阻为122mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为22ns，正向跨导最小值为11S，信道模式为增强。
FDMS2672是MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007408盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为36 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为11 ns，器件的漏极-源极电阻为77 mOhms，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为MLP-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20 A，正向跨导最小值为14 S，下降时间为10 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强。
FDMS3006SDC是MOSFET 30V N-Chan双冷PowerTrench SyncFET，包括增强信道模式，它们设计用于双配置，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于34 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作2信道数信道。此外，封装外壳为Power-56-8，器件采用卷筒封装，器件具有89W的Pd功耗，Qg栅极电荷为61nC，Rds漏极-源极电阻为2.7mOhm，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，单位重量为0.003175oz，Vds漏极源极击穿电压为30V。
