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FDMS8026S是MOSFET N-CH 30V POWER56，包括卷轴封装，它们设计为以0.002610盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如Power-56-8，技术设计为在Si中工作，以及1信道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供41 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为22 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.5 V，漏极-源极电阻Rds为4.3mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导Min为103S。
FDMS8027S是MOSFET N-CH 30V POWER56，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002610盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为5 mOhm，该器件提供11 nC Qg栅极电荷，该器件具有36 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，且Id连续漏极电流为22A，且正向跨导Min为92S，且配置为单一。
FDMS8050带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用Si技术操作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001993盎司。
