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FDMS2734是MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56，包括UltraFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007408盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-MLP、Power56和Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的Power56，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为2365pF@100V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.8A（Ta），14A（Tc），Rds On最大Id Vgs为122 mOhm@2.8A，10V，Vgs th最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为42nC@10V，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.8A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds漏极源极电阻为122mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为22ns，正向跨导最小值为11S，信道模式为增强。
FDMS2572是MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150 V，提供单位重量功能，如0.007408 oz，典型开启延迟时间设计为11 ns，以及38 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的Power56，系列为UltraFET？，上升时间为8 ns，Rds On Max Id Vgs为47 mOhm@4.5A，10V，Rds On漏极-源极电阻为36 mOhm，功率Max为2.5W，Pd功耗为2.5 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-MLP，功率56，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为2610pF@75V，Id连续漏极电流为4.5 A，栅极电荷Qg-Vgs为43nC@10V，正向跨导Min为14 S，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为31 ns，漏极到源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id 25°C为4.5A（Ta），27A（Tc），配置为单四漏极三源极，通道模式为增强型。
FDMS2672是MOSFET N-CH 200V 3.7A POWER56，包括增强信道模式，它们设计用于单四漏三源配置，下降时间显示在数据表注释中，用于10ns，提供正向跨导最小特性，如14S，Id连续漏电流设计用于20A，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1个通道数量的通道，器件具有MLP-8封装盒，封装为卷筒，Pd功耗为2.5 W，漏极电阻Rds为77 mOhms，上升时间为11 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为22ns，单位重量为0.007408oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
