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NTMTS0D6N04CTXG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 533A (Tc) 最大功耗: 5W 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 68.51783 68.51783
10+ 61.91230 619.12309
100+ 51.25510 5125.51060
500+ 45.81018 22905.09200
3000+ 45.81025 137430.76800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥38.17008
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥68.52
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规格参数

  • 宽(英寸) thirty-six
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 187 nC@10 V
  • 供应商设备包装 8-DFNW (8.3x8.4)
  • 最大功耗 5W
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 533A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.48欧姆@50A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11800 pF@20 V

NTMTS0D6N04CTXG 产品详情

NTMTS0D6N04CTXG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTMTS0D6N04CTXG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTMTS0D6N04CTXG价格参考¥38.170083,你可以下载 NTMTS0D6N04CTXG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTMTS0D6N04CTXG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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