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IXTP8N65X2M
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IXTP8N65X2M

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.72870 21.72870
10+ 19.52685 195.26858
100+ 15.99739 1599.73930
500+ 13.61839 6809.19500
1000+ 11.48535 11485.35600
2000+ 11.18702 22374.04200
  • 库存: 4450
  • 单价: ¥21.72870
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.73
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC@10 V
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 800 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
  • 最大功耗 32W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 550毫欧姆 @ 4A, 10V

IXTP8N65X2M 产品详情

N沟道功率MOSFET，IXYS IXTP8N65X2M系列

与前几代功率MOSFET相比，IXYS X2级功率MOSFET系列显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而降低了损耗并提高了工作效率。这些坚固的器件结合了固有二极管，适用于硬开关和谐振模式应用。X2级功率MOSFET可用于各种行业标准封装，包括隔离型，650V时的额定值高达120A。典型应用包括DC-DC转换器、交流和直流电机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、太阳能逆变器、温度和照明控制。

极低RDS（开启）和QG（栅极电荷）
本征整流二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
行业标准包

特色

  • 超低导通电阻RDS（on）和栅极电荷Qg
  • 快体二极管
  • dv/dt耐用性
  • 雪崩等级
  • 低封装电感
  • 国际标准包
优势：

  • 更高的效率
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用

  • 工业开关模式和谐振模式电源
  • 电动汽车蓄电池充电器
  • 交流和直流电机驱动
  • DC-DC转换器
  • 可再生能源逆变器
  • 功率因数校正（PFC）电路
  • 机器人和伺服控制

IXTP8N65X2M 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXTL2X180N10TIXTL2X180N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥134.30365
IXTL2X200N085TIXTL2X200N085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥666.28886
IXTL2X220N075TIXTL2X220N075T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥5.4032
IXTL2X240N055TIXTL2X240N055T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥2.79576
IXTA3N100D2IXTA3N100D2艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥42.00882
IXTA26P20PIXTA26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥48.81715
IXTP96P085TIXTP96P085T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥49.97601
IXTP26P20PIXTP26P20P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥50.12087
IXTH76P10TIXTH76P10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥57.50863
IXTH200N10TIXTH200N10T艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）¥66.77954
IXTP8N65X2M所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTP8N65X2M 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTP8N65X2M价格参考￥21.728700，你可以下载 IXTP8N65X2M中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTP8N65X2M规格参数、现货库存、封装信息等信息！

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