9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH1N170DHV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH1N170DHV参考价格为16.33000美元。IXYS IXTH1N170DHV封装/规格：MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV。您可以下载IXTH1N170DHV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH16P60P是MOSFET P-CH 600V 16A TO-247，包括PolarP？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-247-3包装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247（IXTH），FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为460W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为5120pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为16A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为720 mOhm@500mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为92nC@10V，Pd功耗为460 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-16A，Vds漏极-源极击穿电压为-600V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为720mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型导通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为92nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTH16P20是MOSFET-16安培-200伏0.22 Rds，包括-5伏Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20伏Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-200伏，具有0.229281盎司等单位重量特性，典型的开启延迟时间设计为33纳秒，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有IXTH16P20系列，上升时间为26ns，Rds漏极-源极电阻为160mOhms，Qg栅极电荷为95nC，Pd功耗为300W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-16A，正向跨导最小值为6S，下降时间为25ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH180N10T是MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于31 ns，提供Id连续漏电流功能，例如180 a，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为480W，Rds漏极-源极电阻为6.4mOhms，上升时间为54ns，系列为IXTH180N10，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为33ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V。
