9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH220N20X4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH220N20X4参考价格为18.68000美元。IXYS IXTH220N20X4封装/规格：MOSFET N-CH 200V 220A X4 TO-247。您可以下载IXTH220N20X4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH20N65X带引脚细节，包括管封装，设计用于0.056438盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为320 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为20 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为210mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为35nC，正向跨导Min为9S，沟道模式为增强。
IXTH20N60是MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH20N60系列，器件的上升时间为43 ns，漏极电阻Rds为350 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为20 A，正向跨导最小值为18 S，下降时间为40 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH21N50是MOSFET N-CH 500V 21A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了30 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如21 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，Rds漏极-源极电阻为250 mOhms，上升时间为33 ns，系列为IXTH21N50，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTH20P50P是MOSFET P-CH 500V 20A TO-247，包括管封装，它们设计为与TO-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXTH20P50系列。此外，信道模式为增强型，该器件提供80 ns典型关断延迟时间，该器件具有460 W的Pd功耗，Rds接通漏极-源极电阻为450 mOhms，典型接通延迟时间为26 ns，晶体管类型为1 P信道，信道数量为1信道，单位重量为0.229281盎司，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vds漏极-源极击穿电压为-500 V，Id连续漏极电流为-20 A。
