特色
- 超低导通电阻RDS（on）和栅极电荷Qg
- 快体二极管
- dv/dt耐用性
- 雪崩等级
- 低封装电感
- 国际标准包
- 更高的效率
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用
- 工业开关模式和谐振模式电源
- 电动汽车蓄电池充电器
- 交流和直流电机驱动
- DC-DC转换器
- 可再生能源逆变器
- 功率因数校正（PFC）电路
- 机器人和伺服控制
IXTK102N65X2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 102A（Tc） 最大功耗: 1040W（Tc） 供应商设备包装: TO-264 (IXTK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 145.72714 | 145.72714 |
| 10+ | 133.94295 | 1339.42950 |
| 100+ | 113.12323 | 11312.32340 |
| 500+ | 100.63082 | 50315.41250 |
| 1000+ | 94.63718 | 94637.18000 |
- 库存: 170
- 单价: ¥145.72715
-
数量:
- +
- 总计: ¥145.73
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 152 nC@10 V
- 供应商设备包装 TO-264 (IXTK)
- 包装/外壳 至264-3，至264AA
- 最大功耗 1040W（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 30毫欧姆 @ 51A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10900 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 102A（Tc）
- 材质 铝
IXTK102N65X2 产品详情
IXYS 650V Ultra Junction IXTK102N65X2功率MOSFET提供2A至120A的额定电流和低至24毫欧的导通电阻，使该器件非常适合高效、高速的功率开关应用。IXTK102N65X2功率MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，大大降低了导通电阻和栅极电荷，性能优于传统超级结器件，尤其是在硬开关应用中。Avalanche额定值，能够实现卓越的dv/dt性能（50V/ns），Ultra Junction IXTK102N65X2功率MOSFET能够抵抗MOSFET结构中固有的电压尖峰和寄生双极晶体管导通导致的器件故障。由于其导通电阻的正温度系数，设计者可以并联操作MOSFET以满足更高的电流要求。这些Ultra Junction IXTK102N65X2功率MOSFET专为功率因数校正（PFC）电路、开关模式和谐振模式电源、DC-DC转换器、交流和直流电机驱动以及机器人和伺服控制等应用而设计，可实现高效率、高功率密度和较低的系统性能。
IXTK102N65X2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTK102N65X2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTK102N65X2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTK102N65X2价格参考￥145.727148，你可以下载 IXTK102N65X2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTK102N65X2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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