9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTN240N075L2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTN240N075L2参考价格为55.07000美元。IXYS IXTN240N075L2封装/规格：MOSFET N-CH 75V 225A SOT227B。您可以下载IXTN240N075L2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXTN240N075L2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXTN22N100L是MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227，包括IXTN22N200系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-227-4、miniBLOC以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为机箱安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-227B，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为700W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Ciss Vds为7050pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为22A，最大Id Vgs上的Rds为600mOhm@11A，20V，Vgs最大Id为5.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为270nC@15V，Pd功耗为700W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为50纳秒，上升时间为35纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为22 A，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，第Vgs栅极源极阈值电压为5 V，Rds漏极源极电阻为600毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为270nC，正向跨导最小值为4.5S，信道模式为增强。
IXTN200N10T是MOSFET 100V 200A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTN200N10系列，器件的上升时间为31 ns，漏极电阻Rds为5.4 mOhms，Pd功耗为500 W，封装为管，封装外壳为SOT-227-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为200 A，下降时间为34 ns，配置为单一。
IXTN210P10T是离散半导体模块TrenchP沟道功率MOSFET，包括螺钉安装型，它们设计为与SOT-227-4封装盒一起工作，封装如数据表注释所示，用于管中，提供IXTN210P11等系列功能，商品名设计用于TrenchP，以及TrenchP功率MOSFET类型，该装置也可以用作1.340411盎司单位重量。
IXTN21N100，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTN21N100以模块封装形式提供，是模块的一部分，N通道1000V 21A（Tc）520W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans MOSFET N-CH Si 1KV 21A 4引脚SOT-227A。
