9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP8N70X2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP8N70X2参考价格$4.18000。IXYS IXTP8N70X2封装/规格：MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3。您可以下载IXTP8N70X2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTP86N20T是MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds，包括IXTP86N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该器件还可以用作480 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为29 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为86 a，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为5 V，Rds导通漏极-源极电阻为29mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为90nC，正向跨导Min为46S，沟道模式为增强。
IXTP80N10T是MOSFET N-CH 100V 80A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如31 ns，典型的关闭延迟时间设计为40 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP80N10系列，器件的上升时间为54 ns，漏极电阻Rds为14 mOhms，Pd功耗为230 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为80 A，下降时间为48 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP80N075L2带有电路图，包括Si技术，它们设计为使用LinearL2商品名运行。
IXTP8N100P，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTP8N100P采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
