特色
- 优化Qg和Rg
- 提高信号质量并将开关损耗降至最低
- 低电容
- 最小化驾驶员损失
- 低RDS（打开）
- 提高效率
- 符合RoHS
应用
- CPU供电
- DC-DC转换器
NTMFS4955NT3G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Ta), 48A (Tc) 最大功耗: 920mW（Ta），23.2W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 5000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.63545 | 4.63545 |
| 5000+ | 1.53853 | 7692.68500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥1.85694
-
数量:
- +
- 总计: ¥7,692.69
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 部件状态 过时的
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.8 nC@4.5 V
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 30A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.7A (Ta), 48A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1264 pF@15 V
- 最大功耗 920mW（Ta），23.2W（Tc）
- 色彩/颜色 White
NTMFS4955NT3G 产品详情
功率MOSFET 30V N沟道，48A，SO8FL封装
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMFS4955NT3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4955NT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4955NT3G价格参考￥1.856935，你可以下载 NTMFS4955NT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4955NT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
