9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMA008P20LZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMA008P20LZ参考价格为0.70000美元。onsemi FDMA008P20LZ封装/规格：MOSFET P-CHANNEL 20V 12A 6PQFN。您可以下载FDMA008P20LZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMA8878是MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-WDFN暴露焊盘，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有6个MicroFET（2x2）的供应商器件封装，配置为单个，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为900mW，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为720pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9A（Ta），10A（Tc），Rds On最大Id Vgs为16 mOhm@9A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，Pd功耗为2.4 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为16 mOhm，晶体管极性为N沟道。
FDMA86551L带用户指南，包括1.8 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001058盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为7.3 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为1.7 ns，器件的漏极-源极电阻为35 mOhms，Qg栅极电荷为12 nC，Pd功耗为2.4 W，封装为卷轴，封装外壳为microFET-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为7.5 A，下降时间为1.4 ns，配置为单一。
FDMA8884是MOSFET 30V单N沟道功率沟道MOSFET，包括单配置，它们设计为以6.5A Id连续漏电流工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1沟道数量的信道，该器件也可以用作microFET-6封装盒。此外，包装为卷轴式，该器件提供1.9 W Pd功耗，该器件具有30 mOhms的Rds漏极-源极电阻，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.001058盎司，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
FDMA905/1481带有由TF制造的EDA/CAD模型。FDMA905/1881采用DFNWB2*封装，是IC芯片的一部分。
