9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDMS8050，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDMS8050参考价格为3.11000美元。onsemi FDMS8050封装/规格：MOSFET N沟道30V 55A 8PFN。您可以下载FDMS8050英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMS8025S是MOSFET N-CH 30V POWER56，包括PowerTrenchR、SyncFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002402盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PQFN、Power56和Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数的通道，该器件具有供应商器件包的Power56，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为3000pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为24A（Ta）、49A（Tc），Rds On最大Id Vgs为2.8mOhm@24A，10V，Vgs th最大Id为3V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为47nC@10V，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为49A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.7V，Rds漏极源极导通电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为16nC，正向跨导最小值为145S。
FDMS8026S是MOSFET N-CH 30V POWER56，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供单位重量功能，如0.002610盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为4.3毫欧，该器件提供13 nC Qg栅极电荷，该器件具有41 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为Power-56-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为22 A，正向跨导最小值为103 S，配置为单一。
FDMS8027S是MOSFET N-CH 30V POWER56，包括单一配置，它们设计为以92 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流运行，如数据表注释所示，用于22 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为Power-56-8，器件采用卷筒封装，器件具有36W的Pd功耗，Qg栅极电荷为11nC，Rds漏极-源极电阻为5mOhm，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.002610盎司，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第二栅极-源极端电压为1.5V。
