NTMFS5C646NT1G

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
• 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 80A
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500 pF@10 V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19.2 nC@10 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）、93A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 5毫欧姆 @ 16A, 10V
• 最大功耗 3.7W (Ta), 79W (Tc)
• 材质 钢