IXTP48N20TM
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 Isolated Tab 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 50
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 50+ | 21.95033 | 1097.51665 |
- 库存: 2100
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-
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- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 最大功耗 250W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 48A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 包装/外壳 TO-220-3全包装，独立接线片
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3090 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 TO-220 Isolated Tab
- 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 24A, 10V
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
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IXTP48N20TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTP48N20TM 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTP48N20TM价格参考￥21.950333，你可以下载 IXTP48N20TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTP48N20TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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