特色
- 低RDS（打开）
- 最小化传导损耗
- 低输入电容
- 最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- 加载点模块
- 网通、电信
- 服务器
NTMFS008N12MCT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、79A（Tc） 最大功耗: 2.7W（Ta）、102W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 18.46939 | 18.46939 |
| 10+ | 16.58624 | 165.86241 |
| 100+ | 13.32983 | 1332.98330 |
| 500+ | 10.95184 | 5475.92200 |
| 1500+ | 9.95630 | 14934.46200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥18.46940
-
数量:
- +
- 总计: ¥18.47
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V
- 漏源电压标 (Vdss) 120伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 200A
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）、79A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 8毫欧姆 @ 36A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2705 pF@60 V
- 最大功耗 2.7W（Ta）、102W（Tc）
NTMFS008N12MCT1G 产品详情
功率MOSFET 100V 104A 8mΩ单N沟道
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| NTMFS5C460NL | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Ta）、78A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.54902 |
 | NTMFS4C55NT1G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 |
 | NTMFS4921NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta), 58.5A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.86915 |
NTMFS008N12MCT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS008N12MCT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS008N12MCT1G价格参考￥18.469395，你可以下载 NTMFS008N12MCT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS008N12MCT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
