9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIE882DF-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIE882DF-T1-GE3参考价格为2.63000美元。Vishay Siliconix SIE882DF-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK。您可以下载SIE882DF-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIE874DF-T1-GE3是MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK，包括卷筒封装，它们设计为与SIE874D-GE3零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如POLARPAK-10，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作单四漏四源双栅配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供125 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为60 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为1.17 mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为95nC，正向跨导Min为110S。
SIE862DF-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK。SIE862DF-T1-GE3以10 PolarPAK®（U）封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 50A PolarPAK、N沟道30V 50C（Ta）5.2W（Ta）、104W（Tc）表面安装10 PolarPAK？（U） 。
SIE864DP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SIE864DP-T1-GE3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
