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FDMC5614P是MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007055盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1信道数量的信道，该器件具有8功率33（3x3）的供应商器件封装，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为2.1W，晶体管类型为1 P信道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1055pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为5.7A（Ta），13.5A（Tc），Rds On最大Id Vgs为100 mOhm@5.7A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2.1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为11纳秒，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为84毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为32纳秒，典型的开启延迟时间为10ns，信道模式为增强。
FDMC510P是MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.007408 oz，晶体管类型设计用于1个P沟道，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-MLP（3.3x3.3），该设备为PowerTrenchR系列，该设备在12A时具有8 mOhm，Rds On Max Id Vgs为4.5V，Rds On Drain Source电阻为8 mOhms，功率最大值为2.3W，Pd功耗为41W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerWDFN，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为7860pF@10V，Id连续漏电流为-18 A，栅极电荷Qg Vgs为116nC@4.5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏极Id为12A（Ta），18A（Tc），配置为单一。
FDMC612PZ是MOSFET P沟道功率沟道MOSFET，包括单配置，它们设计为在81 ns的下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于-40 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为MLP-8，器件采用卷筒封装，器件具有26W的Pd功耗，Qg栅极电荷为53nC，Rds漏极-源极电阻为13m欧姆，上升时间为52ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型开启延迟时间为26ns，单位重量为0.006349oz，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.9V。
FDMC610P具有EDA/CAD型号，包括SMD/SMT安装样式，它们设计用于单四漏极三源配置，技术如数据表说明所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于Power-33-8，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作87纳秒的下降时间。此外，上升时间为37 ns，器件提供3.9 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有24 ns的典型导通延迟时间，Pd功耗为2.4 W，典型关断延迟时间为193 ns，正向跨导最小值为16 S，晶体管类型为1 P沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.001133盎司，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为-80 A，最小工作温度范围-55 C，Vds漏源击穿电压为-12 V。
