9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA3N110，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA3N110的参考价格为3.83620美元。IXYS IXTA3N110封装/规格：MOSFET N-CH 1100V 3A TO263。您可以下载IXTA3N110英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTA36P15P是MOSFET-36.0 Amps-150V 0.110 Rds，包括IXTA36P25系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商标设计用于PolarP，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-36A，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为55nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTA3N100P是MOSFET 3安培1000V 4.8 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTA3N100系列，器件的上升时间为27 ns，漏极电阻Rds为4.8欧姆，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为29ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTA3N100D2是MOSFET N-CH MOSFET（D2）1000V 3A，包括3 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供to-263AA-3等封装外壳功能，封装设计为在管中工作，以及6欧姆Rds漏极源电阻，该设备也可以用作IXTA3N100系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.056438盎司，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V。
