沟槽栅功率MOSFET非常适合低电压/高电流应用，需要极低的RDS（ON），从而保证极低的功耗。这与-40°C至175°C的宽范围工作结温度相结合，使其适合在恶劣环境中的汽车应用和其他类似苛刻应用。
特色
- 国际标准包装
- 低RDS（ON）
- 雪崩等级
- 高电流处理能力
- 快速本质整流器
- 易于安装
- 节省的空间
- 高功率密度
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 电池充电器
- 不间断电源
- 交流电机驱动
- 直流斩波器
- 高速功率开关应用
IXTP76N25TM
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 460W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Isolated Tab 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 50
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 50+ | 27.93731 | 1396.86570 |
- 库存: 0
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-
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 250伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 76A (Tc)
- 包装/外壳 TO-220-3全包装，独立接线片
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 92 nC @ 10 V
- 最大功耗 460W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-220 Isolated Tab
- 导通电阻 Rds(ON) 44毫欧姆 @ 38A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4920 pF @ 25 V
IXTP76N25TM 产品详情
IXTP76N25TM 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTP76N25TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTP76N25TM 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTP76N25TM价格参考￥27.937314，你可以下载 IXTP76N25TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTP76N25TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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