该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•高漏源电压额定值
特色
- 0.17安培，100伏 RDS（开）=6Ω @ VGS=10伏 RDS（开）=10Ω @ VGS=4.5伏
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
- 坚固可靠
- 紧凑型工业标准SOT-23表面安装组件
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 小型伺服电机控制
- 功率功率MOSFET栅极驱动器
BSS123W
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安（Ta） 最大功耗: 200mW（Ta） 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.18687 | 3.18687 |
| 3000+ | 0.71183 | 2135.49600 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@1毫安
- 供应商设备包装 SOT-323
- 包装/外壳 SC-70，SOT-323
- 漏源电流 (Id) @ 温度 170毫安（Ta）
- 最大功耗 200mW（Ta）
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 6欧姆 @ 170毫安, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 71 pF @ 25 V
BSS123W 产品详情
BSS123W 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSS63LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP 100V 100MA SOT-23 | ¥0.14486 |
 | BSS63,215 | 恩智浦 (NXP) | TRANS PNP 100V 100MA SOT23 | ¥0.14486 |
 | BSS159NH6327XTSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 |
| BSS169H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：170mA 功率(Pd)：360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6Ω@10V,170mA | ¥3.29997 |
 | BSS308PEH6327 | 英飞凌 (Infineon) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,2A | ¥1.30769 |
 | BSS138PS | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.41679 |
| BSS138NH6327-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.05442 |
| BSS131 | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 暂无 | ¥0.54386 |
| BSS138LT1G-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09695 |
| BSS138W-7-F-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.09309 |
BSS123W所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSS123W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSS123W价格参考￥3.186876，你可以下载 BSS123W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSS123W规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
