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BSS84PWH6327XTSA1是MOSFET P-Ch-60V 150mA SOT-323-3，包括BSS84系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSS84PW BSS84PWH8327XT H6327 SP000917564，提供单位重量功能，如0.004395 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-3233封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.5 ns，上升时间为16.2 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为150mA，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-1.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为8欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为8.6ns，典型接通延迟时间为6.7ns，Qg栅极电荷为1NC，并且前向跨导Min为0.08S，并且信道模式为增强。
BSS84PWH6327XT是MOSFET P-Ch-60V 150mA SOT-323-3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了部分别名功能，如BSS84PW BSS84PWH3327XTSA1 H6327 SP000917564，封装设计为在卷轴中工作，以及1个通道数。
BSS84-R1，电路图由PANJIT制造。BSS84-R1在SOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
