P通道IXTT10P60功率MOSFET的额定电压为-100V至-600V，适用于行业流行的to-247和表面安装的to-268封装。它们是降压转换器和需要接地的负载的理想选择。它们可以与等效的N沟道MOSFET配对，以形成互补对，用于许多需要图腾柱输出的应用。
特色
- 低RDS（on）HDMOS工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 雪崩等级
- 低封装电感
- 国际标准包
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用
- 高压侧开关
- 推挽放大器
- 直流截波器
- 自动测试设备
IXTT10P60
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 91.98483 | 91.98483 |
| 10+ | 84.51740 | 845.17400 |
| 100+ | 71.38022 | 7138.02280 |
| 500+ | 63.49792 | 31748.96250 |
| 1000+ | 59.71590 | 59715.90000 |
- 库存: 300
- 单价: ¥91.98483
-
数量:
- +
- 总计: ¥91.98
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 场效应管类型 P-通道
- 最大功耗 300W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-268AA
- 包装/外壳 至268-3，DPak（2根引线+接线片），TO-268AA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 160 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@5A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4700 pF @ 25 V
IXTT10P60 产品详情
IXTT10P60 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXTL2X180N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥134.30365 |
| IXTL2X200N085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 85V 漏源电流 (Id) @ 温度: 112A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥666.28886 |
| IXTL2X220N075T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.4032 |
 | IXTL2X240N055T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A 供应商设备包装: ISOPLUSi5 Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.79576 |
 | IXTA3N100D2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.00882 |
 | IXTA26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥48.81715 |
 | IXTP96P085T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 85 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A（Tc） 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥49.97601 |
 | IXTP26P20P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.12087 |
 | IXTH76P10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥57.50863 |
 | IXTH200N10T | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A（Tc） 最大功耗: 550W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.77954 |
IXTT10P60所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXTT10P60 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXTT10P60价格参考￥91.984830，你可以下载 IXTT10P60中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXTT10P60规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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