9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTA24N65X2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTA24N65X2参考价格为5.60000美元。IXYS IXTA24N65X2封装/规格：MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA。您可以下载IXTA24N65X2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTA220N04T2-7是MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds，包括IXTA220NO4系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchT2，以及to-263-7封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单频源配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为21纳秒，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为220A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为112nC，并且前向跨导Min为40S，并且信道模式为增强。
IXTA230N075T2是MOSFET 230 Amps 75V，包括75 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.056438 oz的单位重量工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于IXTA230NO75，以及4.2 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-263-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有230A的Id连续漏电流。
IXTA230N075T2-7带有电路图，包括Si技术，它们设计为使用Trench2商标。
IXTA220N055，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTA220N055在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
