9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP30N25L2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP30N25L2参考价格为13.44427美元。IXYS IXTP30N25L2封装/规格：MOSFET N-CH 250V 30A TO220AB。您可以下载IXTP30N25L2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP2R4N50P是MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds，包括IXTP2R5N50系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130 oz，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有55 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为28 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.75欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为24ns，正向跨导最小值为2.5S，沟道模式为增强型。
IXTP2R4N120P是MOSFET 2.4安培1200V 7.5 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为70 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTP2R4N120系列，器件具有25 ns的上升时间，漏极电阻Rds为7.5欧姆，Pd功耗为125 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.4A，下降时间为32ns，配置为单一，通道模式为增强。
IXTP300N04T2是MOSFET 300 Amps 40V，包括300 A Id连续漏极电流，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-220-3，提供管、漏极电阻等封装特性，设计为2.5 mOhms，以及IXTP300NO4系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.012346盎司，该器件具有40V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXTP2P50，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXTP2P50采用TO220封装，是IC芯片的一部分。
