特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- CPU供电
- DC-DC转换器
NTMFS4C09NBT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 最大功耗: 760mW (Ta) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.03961 | 8.03961 |
| 10+ | 7.19220 | 71.92200 |
| 100+ | 5.60745 | 560.74530 |
| 500+ | 4.63212 | 2316.06200 |
| 1500+ | 3.87857 | 5817.85950 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.56303
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.04
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 最大功耗 760mW (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1252 pF@15 V
NTMFS4C09NBT1G 产品详情
功率MOSFET 30 V，52 A，单N−通道，SO−8 FL
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMFS4C09NBT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4C09NBT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4C09NBT1G价格参考￥4.563027，你可以下载 NTMFS4C09NBT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4C09NBT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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