特色
- 优化设计以最小化传导和开关损耗
- 优化封装以最小化寄生电感
- 优化材料，提高热性能
- 符合RoHS
应用
- 高性能DC-DC转换器
- 负载点
- 系统电压轨
- 网通、电信
- 服务器
NTMFS4H013NFT3G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 43A (Ta), 269A (Tc) 最大功耗: 2.7W（Ta）、104W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 5000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 5000+ | 20.28012 | 101400.60000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥10.14006
-
数量:
- +
- 总计: ¥101,400.60
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 56 nC @ 10 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 供应商设备包装 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN, 5 Leads
- 导通电阻 Rds(ON) 0.9毫欧姆@30A，10V
- 最大功耗 2.7W（Ta）、104W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 43A (Ta), 269A (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3923 pF @ 12 V
NTMFS4H013NFT3G 产品详情
功率MOSFET 25 V，334 A，单N−通道，SO−8FL
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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NTMFS4H013NFT3G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTMFS4H013NFT3G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTMFS4H013NFT3G价格参考￥10.140060，你可以下载 NTMFS4H013NFT3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTMFS4H013NFT3G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
